目前，随着国内外LED行业向高效率、高密度、大功率等方向发展，开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。一般来说，LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降，当结温达到125℃以上时，LED甚至会出现失效。为使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。

图1 LED散热陶瓷基板

现阶段常用基板材料有Si、金属(Al、Cu、W、Mo)及金属合金材料(Cu/W、Cu/Mo)、陶瓷(Al₂O₃、AlN、SiC、BN)和复合材料等，它们的热膨胀系数与热导率如表1所示。其中Si材料成本高；金属及金属合金材料的固有导电性、热膨胀系数与芯片材料不匹配；陶瓷材料难加工等缺点，均很难同时满足大功率基板的各种性能要求。

表1 常见大功率LED封装基板的热膨胀系数与热导率

环氧树脂覆铜基板(FR-4)是传统电子封装中应用最广泛的基板。它起到支撑、导电和绝缘三个作用。其主要特性有：成本低、较高的耐吸湿性、密度低、易加工、易实现微细图形电路、适合大规模生产等。但由于FR-4的基底材料是环氧树脂，有机材料的热导率低，耐高温性差，因此FR-4不能适应高密度、高功率LED封装要求，一般只用于小功率LED封装中。

金属基覆铜基板(MCPCB)是继FR-4后出现的一种新型基板。它是将铜箔电路及高分子绝缘层通过导热粘结材料与具有高热导系数的金属(Cu、Al)、底座直接粘结制得，如图2所示。其热导率约为1.12 W/m·K，相比FR-4有较大的提高。由于MCPCB具有优异的散热性，它已成为目前大功率LED散热基板市场上应用最广泛的产品。但MCPCB也有其固有的缺点：高分子绝缘层的热导率较低，只有0.3 W/m·K，导致热量不能很好的从芯片直接传到金属底座上；金属Cu、Al的热膨胀系数较大，可能造成比较严重的热失配问题。

金属基复合基板(MMC)最具代表性的材料是铝碳化硅(AlSiC)。铝碳化硅是将SiC陶瓷的低膨胀系数和金属Al的高导热率结合在一起的金属基复合材料，它综合了两种材料的优点，具有低密度(2.79g/cm³)、低热膨胀系数、高热导率、高刚度等一系列优异特性。AlSiC的热膨胀系数可以通过改变SiC的含量来加以调试，使其与相邻材料的热膨胀系数相匹配，从而将两者的热应力减至最小。如图3是一种以AlSiC做基板的多芯片封装示意图。

图3 一种以AlSiC做基板的多芯片封装示意图

长期以来，Al₂O₃和BeO陶瓷是大功率封装两种主要基板材料。但这两种基板材料都固有缺点，Al₂O₃的热导率低，热膨胀系数与芯片材料(如Si)不匹配；BeO虽然具有优良的综合性能，但生产成本较高和有剧毒。因此，从性能、成本和环保等方面考虑，这两种基板材料均不能作为今后大功率LED器件发展最理想材料。AlN陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能，将逐步取代传统大功率LED基板材料，成为今后最具发展前途的一种陶瓷基板材料。

氮化铝(AlN)是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。AlN的晶体结构类型为六方纤锌矿型，具有密度小(3.26g/cm³)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。

图4 AlN纤锌矿型晶体结构示意图

AlN是一种强共价键化合物，其热传导机理是晶格振动（即声子传热）。由于Al和N的原了序数小，从本性上决定了AlN具有很高的热导率，其热导率理论值可高达319W/m·K。但在实际产品中，由于AlN的晶体结构可能完全均匀分布，并存在很多杂质和缺陷，如图5所示，使得其热导率般只有170-230W/m·K。在热传导过程中，晶体中的各种缺陷（如点阵畸变、位错、杂质、气孔、微裂纹）、晶界、界面、第二相以及声子本身都会对声子产生干扰和散射，从而大大降低基板的热导率。

图5 影响AlN基板热导率的各种因素

由于AlN基板不具有电导性，因此在用作大功率LED散热基板之前必须对其表面进行金属化和图形化。但AlN与金属是两类物理化学性质完全不同的材料，两者差异表现最为突出的就是形成化合物的成键方式不同。AlN是强共价键化合物，而金属一般都表现为金属键化合物，因此与其它化学键的化合物相比，在高温下AlN与金属的浸润性较差，实现金属化难度较高。因此，如何实现AlN基板表面金属化和图形化成为大功率LED散热基板发展的一个至关重要问题。目前使用最广泛的AlN基板金属化的方法主要有：(1)机械连接法、(2)厚膜法、(3)活性金属钎焊法、(4)共烧法、(5)薄膜法、(6)直接覆铜法。

图6 厚膜法金属化AlN基板示意图

图7 AlN基板与活性金属钎料结合界面示意图

图8 多层金属AlN陶瓷基板

图9 AlN基板直接覆铜工艺